技術編號：7043184
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種防止多層外延生長時背面形成多晶顆粒的方法及背封結構，其中，該方法包括步驟提供半導體襯底，該半導體襯底系用于多層離子注入、多層外延生長形成超結結構；在該半導體襯底的背面形成第一背封保護層，該第一背封保護層為正硅酸乙酯層；在該第一背封保護層的表面形成第二背封保護層。本發(fā)明在原背封保護層的基礎上，增加一層新的較硬的背封保護層，避免了多次外延生長和其他工藝造成背封結構損傷，從而不會為下次外延生長提供生長核，杜絕了在晶圓片背面形成多晶顆粒。該新增的背封...
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