技術(shù)編號(hào)：7043115
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具備含有p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)的p型SiC的雜質(zhì)區(qū)。并且，當(dāng)將p型雜質(zhì)記為元素A、將n型雜質(zhì)記為元素D時(shí)，元素A與元素D的組合為Al（鋁）、Ga（鎵）或In（銦）與N（氮）的組合以及B（硼）與P（磷）的組合中的至少一種組合，構(gòu)成上述組合的元素D的濃度與元素A的濃度之比大于0.33且小于0.995，構(gòu)成上述組合的元素A的濃度為1×1018cm-3以上且1×1022cm-3以下。專利說(shuō)明[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002] 本申請(qǐng)要求20...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。