技術(shù)編號：7042331
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出一種。該方法包括以下步驟提供頂部具有SiGe層的襯底；向SiGe層表層注入含有Sn元素的原子、分子、離子或等離子體，以形成SiGeSn層。該方法能夠形成厚度較薄、質(zhì)量較好的SiGeSn層，具有簡單易行、成本低的優(yōu)點(diǎn)。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體薄膜制造領(lǐng)域，具體涉及一種。背景技術(shù)[0002]隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，器件尺寸的不斷縮小，Si材料較低的遷移率已成為制約器件性能的主要因素。為了不斷提升器件的性能，必須采用更高遷移率的溝道材料。目前...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。