技術(shù)編號(hào):7042256
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出一種。其中形成方法包括以下步驟提供頂部具有Ge層的襯底;向Ge層表層注入同時(shí)含有Si和Sn元素的原子、分子、離子或等離子體,以形成SiGeSn層;在SiGeSn層之上形成柵堆疊結(jié)構(gòu),并在柵堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成源和漏。本發(fā)明的MOSFET的形成方法能夠形成具有SiGeSn溝道的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其中SiGeSn溝道的厚度較薄、晶體質(zhì)量較好,因此晶體管具有良好的電學(xué)性能,且本方法具有簡(jiǎn)單易行、成本低的優(yōu)點(diǎn)。專利說(shuō)明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,具體涉...
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