技術編號：7042253
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提出一種，包括以下步驟提供頂部具有Ge層的襯底；在Ge層表面形成掩膜，并在掩膜上形成開口；向Ge層表層注入同時含有Si和Sn元素的原子、分子、離子或等離子體，以在開口位置形成SiGeSn層。本發(fā)明能夠形成厚度較薄、質(zhì)量較好的SiGeSn層，具有簡單易行、成本低的優(yōu)點。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導體薄膜制造領域，具體涉及一種。背景技術[0002]隨著微電子技術的發(fā)展，器件尺寸的不斷縮小，Si材料較低的遷移率已成為制約器件性能的主要因素。為了不斷提...
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