技術(shù)編號(hào)：7042118
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明為，涉及用于半導(dǎo)體MOS器件的制造工藝領(lǐng)域，尤其涉及，包括以下步驟提供一基底；在所述基底上制備一SiO2柵氧化層；對(duì)所述SiO2柵氧化層進(jìn)行氮的注入，使SiO2中的部分氧原子由氮原子取代，以形成SiON柵氧化層；在高于1000℃并伴隨純惰性氣體的氛圍對(duì)SiON柵氧化層進(jìn)行氮化處理，以修復(fù)晶格損傷并形成穩(wěn)定Si-N鍵；在低于800℃的氛圍下對(duì)SiON柵氧化層進(jìn)行氧化處理，以修復(fù)SiO2/Si界面。與傳統(tǒng)的高溫氮化處理工藝相比，采用本發(fā)明制備的SiON柵...
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