技術(shù)編號(hào)：7042004
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的各個(gè)方面提出了一種功率MOSFET器件的端接結(jié)構(gòu)。端接溝槽形成在半導(dǎo)體材料中，包圍著MOSFET的有源區(qū)。端接溝槽還包含導(dǎo)電材料的第一和第二部分。導(dǎo)電材料的第一和第二部分相互電絕緣。要強(qiáng)調(diào)的是，本摘要必須使研究人員或其他讀者快速掌握技術(shù)說明書的主旨內(nèi)容，本摘要符合以上要求。應(yīng)明確，本摘要將不用于解釋或局限權(quán)利要求書的范圍或意圖。專利說明用于功率MOSFET應(yīng)用的端接溝槽[0001 ] 本發(fā)明主要涉及功率M0SFET，本發(fā)明具體涉及用于功率MOSFE...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。