技術(shù)編號(hào):7041865
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種超結(jié)半導(dǎo)體器件,包括具有第一表面和平行的第二表面的半導(dǎo)體部分。至少在單元區(qū)域中形成第一導(dǎo)電類型的摻雜層。相反的第二導(dǎo)電類型的柱狀第一超結(jié)區(qū)在垂直于第一表面的方向上延伸。第一導(dǎo)電類型的柱狀第二超結(jié)區(qū)使第一超結(jié)區(qū)彼此分離。第一和第二超結(jié)區(qū)在第一表面和摻雜層之間形成超結(jié)結(jié)構(gòu)。在第一超結(jié)區(qū)和第二表面之間的距離不超過30μm。額定用于低于1000V的反向擊穿電壓的低壓器件的導(dǎo)通狀態(tài)或正向電阻可以通過超結(jié)結(jié)構(gòu)的電阻來定義。專利說明制造超結(jié)半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件背景...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。