技術(shù)編號：7041766
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種能使用溝槽充填法來改善Eoff和關(guān)斷dV/dt之間的權(quán)衡(trade-off)關(guān)系的低成本。利用溝槽充填法來形成超接合即并列pn層(20)，在其上部的n型半導(dǎo)體層(2)(n型柱)中利用離子注入法來形成高濃度n型半導(dǎo)體區(qū)域(11)，從而與利用外延層形成高濃度n型半導(dǎo)體層的情況相比，能改善Eoff和關(guān)斷dV/dt之間的權(quán)衡關(guān)系。由于無需再如現(xiàn)有的利用多級外延法來形成超接合的情況那樣、重復(fù)冗長的工序，因而能縮短工序并降低成本。專利說明[0001]本...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。