技術(shù)編號：7040876
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，自下而上依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢壘層，所述AlGaN勢壘層上間隔設(shè)有源極、柵極和復(fù)合漏極，所述柵極和復(fù)合漏極之間還設(shè)有線性AlGaN勢壘層，AlGaN勢壘層的部分區(qū)域上方外延有線性AlGaN層，線性AlGaN層的部分區(qū)域上方外延有p-GaN層，P-GaN層上設(shè)有基極，上述結(jié)構(gòu)的頂層還間隔淀積有鈍化層，所述鈍化層的間隔內(nèi)淀積有加厚電極。本發(fā)明在器件導(dǎo)通時的導(dǎo)通電阻得到減小，而在截止?fàn)?..
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