技術(shù)編號(hào)：7040098
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種壓應(yīng)變GeSnp溝道MOSFET。該MOSFET(10)結(jié)構(gòu)包括襯底（101）、弛豫SiGeSn緩沖層（107），源和漏（102,103）、GeSn溝道（104）、柵電極絕緣介電質(zhì)層（105）以及柵電極（106）。SiGeSn緩沖層（107）層的晶格常數(shù)比GeSn溝道（104）晶格常數(shù)小，GeSn溝道形成XY面內(nèi)的雙軸壓應(yīng)變。這種應(yīng)變可提高GeSn溝道（104）空穴遷移率，從而提高M(jìn)OSFET性能。專利說明壓應(yīng)變GeSn p溝道金屬氧化物半導(dǎo)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。