技術(shù)編號：7040023
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于太陽能，為實現(xiàn)抑制SEE產(chǎn)生的電荷在芯片中的擴散，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，串聯(lián)升壓太陽能電池單元制備方法，包括如下步驟1)在輕摻雜的P-型硅襯底上制備淺溝槽隔離區(qū)；2)在淺溝槽隔離區(qū)間的器件有源區(qū)內(nèi)制備一個中等摻雜的N阱；3)利用離子注入工藝在N型基底中制備一個大面積、重摻雜的P+有源區(qū)；4)利用離子注入工藝在所述P+有源區(qū)外側(cè)的N型基底上制備重摻雜的N+接觸區(qū)；5)在晶片表面淀積合適厚度的介質(zhì)層；6)在器件上表面制備出所述兩種太陽能電池的陽極電...
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