技術(shù)編號：7040018
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供一種。該陰極組件自下而上由高質(zhì)量的藍寶石襯底、p型均勻摻雜AlN緩沖層、p型變組分AlxGa1-xN發(fā)射層組成。其中，AlN緩沖層的厚度在50~500nm之間，采用p型均勻摻雜方式，摻雜原子為Mg；變組分的AlxGa1-xN發(fā)射層由N個AlxGa1-xN子層組成，其中N≥1，從上至下p型AlxGa1-xN子層的Al組分為x1、x2、···、xn-1、xn，且滿足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，變組分的AlxGa1-xN發(fā)射層總厚...
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