技術編號：7039620
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供，其LED外延結構，從下向上的順序依次包括襯底、低溫GaN緩沖層、GaN非摻雜層、溝道層A、N型GaN層、溝道層B、多量子阱有源層、低溫P型GaN層、P型AlGaN層、高溫P型GaN層，本發(fā)明通過溝道層A、溝道層B的插入，一方面溝道層A可以有效的限制外延層與襯底之間由于晶格失配產生的位錯，減少外延層的缺陷密度，提高外延層質量；另一方面，溝道層B可以擴展電流，緩解靜電對GaN基LED的沖擊，提高LED對靜電的耐受能力，并且可以使電子更有效均勻的進入...
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