技術(shù)編號(hào)：7039590
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金剛石輻射探測(cè)器的歐姆接觸電極制備方法。屬于金剛石輻射探測(cè)器制造工藝。本發(fā)明的要點(diǎn)是利用磁控濺射和離子濺射方法在金剛石薄膜上沉積制備C-Pt-Au三層體系，并在氮?dú)鈿夥障峦嘶?，形成歐姆接觸電極。本發(fā)明的三層C-Pt-Au歐姆電極是有較高的IV性能、較低的薄膜漏電流，其電阻率得到明顯改善、使器件的性能得到提高。專利說(shuō)明[0001]本發(fā)明涉及的是一種金剛石輻射探測(cè)器的歐姆接觸電極優(yōu)化制備方法，屬于金剛石輻射探測(cè)器制造工藝。背景技術(shù)[0002]金剛...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。