技術(shù)編號：7039049
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。根據(jù)一個實施方案，一種制造外延晶片的方法包括在襯托器中提供晶片，以及在所述晶片上生長外延層。所述在所述晶片上生長外延層包括將第一輸入量的原料供給到所述襯托器中的第一步驟，和將第二輸入量的原料供給到所述襯托器中的第二步驟。所述第一輸入量小于所述第二輸入量。根據(jù)一個實施方案，外延晶片包含晶片和在所述晶片上形成的外延層，其中所述晶片的表面缺陷為1ea/cm2以下。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù) [0002] 通常，在用于在襯底或晶片...
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