技術(shù)編號(hào):7037986
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供一種能夠提高溝槽的上部邊緣中的柵極絕緣膜的耐壓的半導(dǎo)體裝置以及其制造方法。半導(dǎo)體裝置(1)包含形成有柵極溝槽(9)的n型SiC基板(2);一體地包含側(cè)面絕緣膜(18)和底面絕緣膜(19)的柵極絕緣膜(16);以及被埋入到柵極溝槽(9)的柵極電極(15),該柵極電極(15)選擇性地具有在上部邊緣(26)中重疊于SiC基板(2)的表面(21)的重疊部(17),在該半導(dǎo)體裝置(1)中,在側(cè)面絕緣膜(18)以在上部邊緣(26)中向柵極溝槽(9)的內(nèi)部突出的方式...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。