技術(shù)編號(hào)：7036772
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。氮化物半導(dǎo)體器件包括襯底(10)；氮化物半導(dǎo)體疊層體(20)；和由TiAl類材料構(gòu)成的歐姆電極(11、12)。氮化物半導(dǎo)體疊層體(20)具有形成在上述襯底(10)上的第一氮化物半導(dǎo)體層(1)；和與第一氮化物半導(dǎo)體層(1)形成異質(zhì)界面的第二氮化物半導(dǎo)體層(2)。該氮化物半導(dǎo)體器件，在從上述歐姆電極(11、12)至上述氮化物半導(dǎo)體疊層體(20)的深度方向的氧濃度分布中，在比上述歐姆電極(11、12)與上述氮化物半導(dǎo)體疊層體(20)的界面更靠上述襯底(10)側(cè)的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。