技術(shù)編號：7036424
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在成為n-漂移層的半導(dǎo)體基板的內(nèi)部，在背面?zhèn)鹊谋砻鎸釉O(shè)置p+集極層，在比背面?zhèn)鹊膒+集極層更深的區(qū)域設(shè)置由多個n+層構(gòu)成的n+場停止層。在半導(dǎo)體基板的正面形成正面元件構(gòu)造后，在半導(dǎo)體基板的背面，通過與形成n+場停止層的深度對應(yīng)的加速電壓來進行質(zhì)子照射(步驟S5)。接著，利用第一退火在與質(zhì)子照射對應(yīng)的退火溫度下使質(zhì)子施主化而形成場停止層(步驟S6)。通過利用適于多次質(zhì)子照射條件的退火條件進行退火，能夠使通過各質(zhì)子照射形成的各結(jié)晶缺陷恢復(fù)而形成多個高載流子濃度...
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