技術(shù)編號：7034875
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT)器件；本發(fā)明還涉及一種鍺硅HBT器件的制造方法。背景技術(shù)由于現(xiàn)代通信對高頻帶下高性能、低噪聲和低成本的RF組件的需求，現(xiàn)有的Si 材料器件無法滿足性能規(guī)格、輸出功率和線性度新的要求，功率鍺硅(SiGe)HBT則在更高、 更寬的頻段的功放中發(fā)揮重要作用。與砷化鎵器件相比，雖然SiGe HBT在頻率上還處劣勢，但SiGe HBT憑著更好的熱導(dǎo)率和良好的襯底機(jī)械性能，較好地解決了功放...
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