技術(shù)編號(hào)：7033897
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種MOSFET功率器件，包括襯底；外延層；形成在外延層中的多個(gè)條形的MOSFET元胞，多個(gè)MOSFET元胞沿第一方向相互平行，每個(gè)MOSFET元胞包括源區(qū)、柵結(jié)構(gòu)和第一阱區(qū)，第一阱區(qū)位于源區(qū)的下方；形成在外延層中的多個(gè)第二阱區(qū)，多個(gè)第二阱區(qū)沿第二方向相互平行且任意相鄰的兩個(gè)所述第二阱區(qū)之間的距離相等，第一方向與第二方向在與襯底平行的平面上相互成預(yù)設(shè)角度，第一阱區(qū)和第二阱區(qū)摻雜的類型相同，通過多個(gè)第二阱區(qū)連通多個(gè)第一阱區(qū)。本實(shí)用新型的MOS...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。