技術(shù)編號：7033767
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及電力電子半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域，具體講涉及一種基于焊接型IGBT與壓接型二極管反并聯(lián)串聯(lián)結(jié)構(gòu)的換流單元。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是 20 世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)的一種半導(dǎo)體電力開關(guān)器件，它的輸入控制部分為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor),輸出級為雙極結(jié)型晶體管，...
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