技術(shù)編號：7033058
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種具有外延表面粗化層的砷磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管，設(shè)有砷化鎵（GaAs）襯底，砷化鎵（GaAs）襯底上設(shè)有布拉格反射層，布拉格反射層上設(shè)有n型限制層，n型限制層上設(shè)有構(gòu)成發(fā)光二極管的核心發(fā)光區(qū)域的多量子阱有源區(qū),多量子阱有源區(qū)上設(shè)有p型限制層；p型限制層上設(shè)有p型磷化鎵（GaP）窗口層，其中，p型磷化鎵（GaP）窗口層上設(shè)有砷磷化鋁鎵（AlxGa1-x?AsyP1-y）表面粗化層；通過上述層結(jié)構(gòu)的相互連接構(gòu)成一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。本實用新型通過在外延階段，直接在...
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