技術(shù)編號(hào)：7032505
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型提供了一種LED外延結(jié)構(gòu)，自下而上依次包括襯底、GaN成核層、GaN緩沖層、n型GaN層、有源層、p型GaN層以及p型接觸層；所述有源層具有由至少兩對(duì)MQW發(fā)光層組成，所述MQW發(fā)光層包括由AlGaN/n-GaN交替堆疊組成的超晶格量子壘層及由InGaN構(gòu)成的量子阱層。本實(shí)用新型的有益效果主要體現(xiàn)在可有效提高M(jìn)QW晶格質(zhì)量，大幅增加有源層中每個(gè)量子阱的電子或空穴的俘獲幾率，有效降低器件Droop負(fù)效應(yīng)影響，提高LED器件的內(nèi)量子效率的目的，可很好...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。