技術(shù)編號(hào)：7030756
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，屬于光電器件領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底、設(shè)于所述襯底上的外延層、以及設(shè)于所述外延層上的電極，所述襯底上開設(shè)有貫穿所述襯底的容置孔，所述容置孔內(nèi)設(shè)有與所述外延層電性連接的導(dǎo)電件，所述外延層包括依次向上生長(zhǎng)于所述襯底上的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層為N型層，所述第二半導(dǎo)體層為P型層。本實(shí)用新型通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件的襯底上開設(shè)容置孔結(jié)構(gòu)，并在該容置空中設(shè)置與外延層電連接的導(dǎo)電件，使得電流可以穿過不...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。