技術(shù)編號：7029360
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)諸如LSI (大規(guī)模集成電路)和MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)等的半導(dǎo)體裝置是通過使諸如半導(dǎo)體晶片和玻璃基體等的基體經(jīng)受諸如蝕刻、CVD (化學(xué)氣相沉積)和濺射等的處理而制造的。這里，可以采用等離子體作為用于這種處理的能量源。這種等離子體處理的示例包括等離子體蝕刻、等離子體CVD、等離子體ALD、等離子體濺射和等離子體摻雜。在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，要求基體的面內(nèi)處理均勻。然而，存在著很多妨礙這種均勻性的偏壓?？赡苡捎谠O(shè)備的器材差異或設(shè)備中的等...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。