技術(shù)編號(hào):7029327
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有無(wú)邊界接觸的取代金屬柵極本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,并且具體地涉及形成具有無(wú)邊界(borderless)接觸的取代金屬柵極的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域中,一般通過(guò)常稱(chēng)為前端線(FEOL)技術(shù)的過(guò)程制造或者制作例如比如晶體管的有源半導(dǎo)體器件。晶體管例如可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),并且可以更具體為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FET。FET也可以是P型摻雜劑摻雜的PFET或者η型摻雜劑摻雜的NFET。近來(lái),已經(jīng)由于高k金屬柵極(HKMG...
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