技術編號：7028110
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在襯底上生長III族氮化物層?？梢詫II族氮化物層用作半導體發(fā)光器件結構的生長襯底。背景技術半導體發(fā)光器件是現(xiàn)有可用的最有效率的光源之一，包括發(fā)光二極管(LED)、諧振腔發(fā)光二極管(RCLED )、垂直腔激光二極管(VCSEL)和邊發(fā)光激光器。在制造能夠在可見光譜范圍工作的高亮度發(fā)光器件時當前感興趣的材料系統(tǒng)包括II1-V族半導體，尤其是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，也稱為III族氮化物材料。典型地，通過用金屬有機化學氣相沉積(M0CV...
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