技術編號：7028108
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一般地，本發(fā)明涉及金屬氧化物薄膜器件，更具體地，本發(fā)明涉及金屬氧化物半導體膜的穩(wěn)定性。背景技術由于金屬氧化物半導體的高載流子遷移率、透光性和低沉積溫度，金屬氧化物半導體引起了強烈的關注。高載流子遷移率將應用擴展到需要較高頻率或較高電流的更高的性能領域。透光性消除了在顯示器和傳感器有源矩陣中對遮光罩的需要。低沉積溫度使得能夠應用于塑性鈍化層上的柔性電子設備。金屬氧化物半導體的獨特特點是(1)載流子遷移率對膜粒度的依賴性較低，換言之，可實現(xiàn)高遷移率無定形金屬氧...
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