技術(shù)編號(hào)：7027098
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于生產(chǎn)對(duì)LID( “光致衰退”)現(xiàn)象敏感度低的光電池，LID即當(dāng)電池第一次曝露于光時(shí)產(chǎn)生的光伏轉(zhuǎn)換效率的衰退。背景技術(shù)光伏技術(shù)發(fā)展的一個(gè)目標(biāo)是降低制造成本并結(jié)合著提高效率。由于硅襯底代表著大約40%的電池成本，因此研究針對(duì)著光伏質(zhì)量的硅的低成本生產(chǎn)線的發(fā)展，光伏質(zhì)量即處于在電子工業(yè)中使用的極高質(zhì)量的硅(電子產(chǎn)品質(zhì)量的高純度硅)與在冶金工業(yè)中使用的質(zhì)量要求較低的硅(冶金質(zhì)量的硅)之間的質(zhì)量。因此光伏質(zhì)量的晶體(單晶或多晶)硅在金屬雜質(zhì)(鈷、銅、鐵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。