技術(shù)編號(hào)：7025975
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種適合用于III族氮化物半導(dǎo)體器件的復(fù)合GaN襯底、制造該復(fù)合GaN襯底的方法、包括該復(fù)合GaN襯底的III族氮化物半導(dǎo)體器件和制造該III族氮化物半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)近年來，III族氮化物半導(dǎo)體器件不僅廣泛應(yīng)用于光學(xué)器件，而且廣泛應(yīng)用于電子器件，諸如高電子遷移率晶體管(在下文中，簡(jiǎn)寫為“HEMT”)。例如，Yamada 等，“Effect of Epitaxial Layer Design on Drain LeakageCurrent...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。