技術(shù)編號：7023613
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型提供了一種LED芯片，包括襯底，所述襯底為圖形化襯底，在襯底上依次形成的緩沖層、N型GaN層、多量子阱層、P型GaN層和導(dǎo)電層，所述多量子阱層由InGaN阱層和InAlGaN壘層交替層疊形成，所述InAlGaN壘層的厚度為8~15納米。本實用新型采用InAlGaN結(jié)構(gòu)作為壘層，InAlGaN壘層中Al的加入可提高勢壘層的能帶高度，增加阱層和壘層之間的能帶差，提升電子和空穴輻射的復(fù)合效率，從而提高LED芯片的發(fā)光效率。專利說明—種LED芯片[000...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。