技術(shù)編號(hào)：7022703
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體裝置，尤其是涉及具有晶體管構(gòu)造的氮化物半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)或氮化銦(InN)或它們的混晶體為主成分的氮化物半導(dǎo)體(III族氮化物半導(dǎo)體)是寬帶隙半導(dǎo)體，絕緣擊穿電場(chǎng)大，另外與硅系半導(dǎo)體或砷化鎵(GaAs)系的化合物半導(dǎo)體相比，電子的飽和漂移速度大。因而，在獲得高的電子遷移率的同時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓化。進(jìn)而，在以面方位的(0001)面為主面的氮化鋁鎵(AlGaN)與氮化鎵(GaN)等的異質(zhì)界面，由自發(fā)極...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。