技術(shù)編號(hào):7022685
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明廣泛地涉及新穎的利用多層粘合系統(tǒng)的臨時(shí)晶片粘合方法。該創(chuàng)新性方法可在晶片減薄和其它背側(cè)加工期間將器件晶片支持在載體襯底上。背景技術(shù)集成電路、功率半導(dǎo)體、發(fā)光二極管、光子電路、微電磁系統(tǒng)(MEMS)、嵌入式有源陣列、封裝的介入物以及大量其它基于硅和復(fù)合半導(dǎo)體的微器件被共同地制造成晶片襯底上的陣列,該晶片襯底直徑在1-12英寸的范圍內(nèi)。該器件隨后被分割成各個(gè)器件或管芯,它們被封裝以允許與宏觀環(huán)境的形成實(shí)踐性接口,例如通過(guò)與印刷線路板的互連。將器件封裝件構(gòu)...
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