技術(shù)編號(hào)：7019359
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。控制半導(dǎo)體制造期間等離子體成分通量和沉積的方法和裝背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造過程中，等離子體蝕刻工藝可被用于將部分電路的光刻膠掩模圖案轉(zhuǎn)印到半導(dǎo)體晶片上的一或多種材料(導(dǎo)體或絕緣體)上。在等離子體蝕刻工藝中，等離子體作用來蝕刻掉暴露在光刻膠掩模圖案的開口區(qū)域中(即，不受光刻膠掩模保護(hù)的區(qū)域中)的材料。蝕刻反應(yīng)通過存在于等離子體中的化學(xué)活性并帶電的物種(離子)來完成。等離子體從等離子體室內(nèi)的反應(yīng)劑混合物產(chǎn)生。在一些應(yīng)用中，電場可被用來朝向晶片加速存在于等離子體中的...
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