技術(shù)編號：7019323
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件用外延基板，尤其涉及一種使用III族氮化物而構(gòu)成的外延基板。背景技術(shù)氮化物半導(dǎo)體由于具有直接遷移型的寬帶隙(band gap)、高絕緣擊穿電場和高飽和電子速度，因此作為LED或LD等發(fā)光器件、或HEMT (High Electron MobilityTransistor)等高頻率/大功率的電子器件用半導(dǎo)體材料而受到關(guān)注。例如,將由AlGaN構(gòu)成的勢壘層和由GaN構(gòu)成的溝道層層疊而成的HEMT (高電子遷移率晶體管)元件是利用以下特征...
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