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一種穿通型瞬態(tài)電壓抑制器的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7018643

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本實用新型公開了一種穿通型瞬態(tài)電壓抑制器,包括P襯底,P襯底上表面設(shè)有一層氧化層,氧化層從中部劃分為陽極區(qū)域和陰極區(qū)域;P襯底上表面位于陽極區(qū)域內(nèi)設(shè)有一具有第二導(dǎo)電類型的N阱,N阱內(nèi)設(shè)有一具有第二導(dǎo)電類型的第一N+有源注入?yún)^(qū);P襯底上表面位于陰極區(qū)域內(nèi)設(shè)有一具有第一導(dǎo)電類型的P阱,P阱內(nèi)設(shè)有一具有第二導(dǎo)電類型的第二N+有源注入?yún)^(qū);第一N+有源注入?yún)^(qū)上設(shè)有陽極金屬連接片;第二N+有源注入?yún)^(qū)上設(shè)有陰極金屬連接片。本實用新型的穿通型瞬態(tài)電壓抑制器,具有合適的觸發(fā)...
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