技術(shù)編號(hào):7018011
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種容量為64M×48bit的立體封裝SDRAM存儲(chǔ)器,包括六個(gè)容量為64M×8bit的SDRAM芯片,其特征在于,還包括從下至上進(jìn)行堆疊的一個(gè)引線框架層和六個(gè)芯片層,引線框架層上設(shè)有用于對(duì)外連接的引腳,六個(gè)SDRAM芯片分別一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置六個(gè)芯片層上;所述堆疊的一個(gè)引線框架層和六個(gè)芯片層經(jīng)灌封、切割后在周邊上露出電氣連接引腳,并在外表面設(shè)有鍍金連接線;鍍金連接線將所述一個(gè)引線框架層和六個(gè)芯片層上露出的電氣連接引腳進(jìn)行相應(yīng)連接,引線框架層的引...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。