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一種容量為512K×40bit的立體封裝MRAM存儲器的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7017978

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本實(shí)用新型涉及一種容量為512K×40bit的立體封裝MRAM存儲器,包括五個容量為512K×8bit的MRAM芯片,其特征在于,還包括從下至上進(jìn)行堆疊的一個引線框架層和五個芯片層,引線框架層上設(shè)有用于對外連接的引腳,每個芯片層上置放一個所述MRAM芯片;所述堆疊的一個引線框架層和五個芯片層經(jīng)灌封、切割后在周邊上露出電氣連接引腳,并在外表面設(shè)有鍍金連接線;鍍金連接線將所述一個引線框架層和五個芯片層上露出的電氣連接引腳進(jìn)行關(guān)聯(lián)連接以形成五個MRAM芯片相應(yīng)連...
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