技術(shù)編號(hào):7016557
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種肖特基勢(shì)壘二極管及制造肖特基勢(shì)壘二極管的方法。該二極管包括設(shè)置在n+型碳化硅襯底的第一表面上的n-型外延層;和設(shè)置在上述n-型外延層內(nèi)的多個(gè)p+區(qū)域。n+型外延層設(shè)置在上述n-型外延層上,肖特基電極設(shè)置在上述n+型外延層上,歐姆電極設(shè)置在上述n+型碳化硅襯底的第二表面上。上述n+型外延層包括設(shè)置在上述n-型外延層上的多個(gè)柱形部和設(shè)置在上述柱形部之間且露出上述p+區(qū)域的多個(gè)開(kāi)口。每個(gè)柱形部包括接觸上述n-型外延層的大致直線部、和從上述大致直線部...
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