技術(shù)編號：7016242
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電荷補(bǔ)償半導(dǎo)體器件。一種半導(dǎo)體器件具有源極金屬化部、漏極金屬化部以及半導(dǎo)體主體。該半導(dǎo)體主體包括與漏極金屬化部接觸的第一導(dǎo)電性類型的漂移層、在最大摻雜濃度方面高于漂移層的第一導(dǎo)電性類型的緩沖（和場阻止）層以及第二導(dǎo)電性的多個(gè)補(bǔ)償區(qū)，每個(gè)與漂移和緩沖層形成pn結(jié)并與源極金屬化部進(jìn)行接觸。每個(gè)補(bǔ)償區(qū)包括在第二部分與源極金屬化部之間的第一部分。第一部分和漂移層形成具有等于零的凈摻雜的第一區(qū)域。第二部分和緩沖層形成第一導(dǎo)電性的第二區(qū)域。當(dāng)在漏極和源極金屬...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。