技術編號：7016181
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術，具體的說是涉及一種CSTBT的制造方法。本發(fā)明的CSTBT的制造方法的基本工藝先是在P+單晶硅片襯底上依次外延生長N型場截止區(qū)2、N-漂移區(qū)3；形成正面槽柵MOS工藝后，進行背面減??；然后主要技術方案是通過硅片背面H+的選擇性注入、低溫退火，激活與氫相關的施主，形成位于Pbody基區(qū)底部的N型CS層。最后加以背面金屬化等工藝，形成CSTBT的完整結構。本發(fā)明的有益效果為，降低了制造工藝難度，減少了制造成本。本發(fā)明尤其適用于CSTBT的...
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