技術(shù)編號(hào):7015813
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了,所述方法包括提供一襯底;在所述襯底上沉積氮化物溝道層,氮化物溝道層上定義有柵極區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū),所述氮化物溝道層上的柵極區(qū)形成有至少一個(gè)非平面結(jié)構(gòu);在所述氮化物溝道層上沉積氮化物勢(shì)壘層,氮化物勢(shì)壘層形成有至少一個(gè)非平面結(jié)構(gòu);在所述氮化物勢(shì)壘層上形成柵極、源極和漏極。本發(fā)明不需要對(duì)氮化物勢(shì)壘層做刻蝕,避免了有源區(qū)的損傷帶來(lái)的器件性能下降,比如說(shuō)低電流密度或者電流崩塌等效應(yīng)。另外,也不需要用到引入Mg原子實(shí)現(xiàn)p型氮化物,避免了對(duì)MOCVD或者M(jìn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。