技術(shù)編號(hào)：7015099
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，該包括如下步驟在硅片正面形成絨面；在所述硅片背面進(jìn)行B離子注入；對(duì)所述硅片進(jìn)行擴(kuò)散退火；去除磷硅玻璃；在所述硅片正面形成減反膜；在所述硅片背面形成背電極和鋁背場(chǎng)；在所述硅片正面形成正電極。采用本發(fā)明的方法，可以通過一次高溫過程在硅片的背面形成高效硼摻雜p+層，簡(jiǎn)化了工藝復(fù)雜度，提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。專利說明[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池，具體地說涉及。背景技術(shù)[0002]為了進(jìn)一步提高硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，通常會(huì)在硅片的背面...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。