技術(shù)編號(hào)：7014191
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。與二極管分離地設(shè)置電勢(shì)隔離元件。n型低濃度區(qū)域被形成在P型層上。第一高濃度N型區(qū)域被設(shè)置在n型低濃度區(qū)域中并且被連接到二極管的陰電極。第二高濃度N型區(qū)域被設(shè)置在n型低濃度區(qū)域中，被布置為與第二導(dǎo)電類型第一高濃度區(qū)域隔開，并且被連接到第一電路的電源互連。第一P型區(qū)域被形成在n型低濃度區(qū)域中，并且其底部被連接到P型層。接地電勢(shì)被施加到第一P型區(qū)域，并且第一P型區(qū)域被設(shè)置在第一高濃度N型區(qū)域的附近。專利說明半導(dǎo)體器件[0001]相關(guān)申請(qǐng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。