技術(shù)編號：7014087
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有插入層量子阱半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)，本發(fā)明公開了一種具有特殊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器的制備方法。該結(jié)構(gòu)從下到上依次包括GaAs襯底；GaAs緩沖層；AIGaAs下限制層；AIGaAs下波導(dǎo)層；有源層；AIGaAs上波導(dǎo)層；AIGaAs上限制層；GaAs覆蓋層。在該結(jié)構(gòu)中，有源層的量子阱和壘之間插入了一層薄的GaAs或InP或In組分含量較低(與量子阱中In組分相比較低)的InGaAs層，這可以有效緩解量子阱和壘之間的品格適配，提高界面質(zhì)量，減小...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。