技術(shù)編號(hào):7013787
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,更具體地涉及使用刀片切分來(lái)制造半導(dǎo)體晶片(在下文中簡(jiǎn)稱為晶片)的一種半導(dǎo)體器件制造方法。背景技術(shù)近年來(lái),在諸如IGBT (絕緣柵雙極晶體管)、MOSFET (M0S場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、以及設(shè)置在逆變器中的二極管之類的功率半導(dǎo)體器件中,將用于形成功率半導(dǎo)體器件的硅基板的厚度減薄以改進(jìn)功率半導(dǎo)體器件的電特性。圖13是示出FS(場(chǎng)阻斷)_IGBT的主要部分的截面結(jié)構(gòu)的示圖。在圖13中,F(xiàn)S-1GBT包括在η硅基板5Id的表面層中設(shè)置(形成)的厚度約為...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。