技術(shù)編號：7013599
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，該肖特基勢壘二極管包括n-型外延層，設(shè)置在n+型碳化硅基板的第一表面，多個n型支柱區(qū)域，設(shè)置在n+型碳化硅基板的第一表面的第一部分的n-型外延層中，多個p+區(qū)域，設(shè)置在n-型外延層的表面且與n型支柱區(qū)域分離，肖特基電極，設(shè)置在n-型外延層和p+區(qū)域上，以及歐姆電極，設(shè)置在n+型碳化硅基板的第二表面。n型支柱區(qū)域的摻雜密度大于n-型外延層的摻雜密度。專利說明[0001]相關(guān)申請的引用[0002]本申請要求于2012年12月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。