技術(shù)編號(hào)：7013184
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，所述制造方法包括以下步驟1）于生長(zhǎng)襯底表面形成用于后續(xù)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的緩沖層；2）于所述緩沖層表面形成SiO2層；3）采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝將所述SiO2層刻蝕出間隔排列的多個(gè)SiO2凸起，且多個(gè)SiO2凸起之間保留預(yù)設(shè)厚度的SiO2底層；4）采用濕法腐蝕工藝腐蝕所述SiO2底層，直至露出各該SiO2凸起之間的緩沖層。本發(fā)明先制備一層含有六角晶格結(jié)構(gòu)的BN材料層或AlN層或AlxGa1-xN層，作為發(fā)光外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的緩沖層，通過兩步刻蝕...
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