技術(shù)編號：7013139
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，涉及以襯底為特征的外延層生長方法。包括以下步驟1）在襯底上生長氮化物材料結(jié)構(gòu)；2）在氮化物材料結(jié)構(gòu)上生長InAlN材料層；3）在InAlN材料層上生長InGaN材料蓋帽層。通過所述方法在進(jìn)行InAlN基器件歐姆接觸制作時(shí)，能降低退火溫度，改善金屬電極的表面質(zhì)量，提高器件的質(zhì)量；同時(shí)蓋帽層同材料外延一起生長，既改善器件的性能，又對器件工藝沒有影響。專利說明InGaN蓋帽層實(shí)現(xiàn)I nAIN器件低溫歐姆接觸的方法[0001]本發(fā)明涉及以襯底為特...
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